小蜜蜂家族 - 定制 - 悦博体育app下载

低功耗、低成本、瞬时启动、高安全性的非易失性可编辑逻辑器件。

高云半导体GW1N系列产品是高云半导体小蜜蜂^?(LittleBee^?)家族第一代产品，具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

高云半导体 GW1NR系列产品是一款系统级封装芯片，在 GW1N 基础上集成了丰富容量的 SDRAM 存储芯片，同时具有低功耗、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点。

高云半导体 GW1NS系列包括SoC产品（封装前带“C”的器件）和非SoC产品（封装前不带“C”的器件）。SoC产品内嵌 ARM Cortex-M3硬核处理器，而非SoC产品内部没有ARM Cortex-M3 硬核处理器。此外， GW1NS系列产品内嵌 USB2.0 PHY、用户闪存以及 ADC 转换器。以 ARM Cortex-M3 硬核处理器为核心，具备了实现系统功能所需要的最小内存；内嵌的逻辑模块单元方便灵活，可实现多种外设控制功能，能提供出色的计算功能和异常系统响应中断，具有高性能、低功耗、管脚数量少、使用灵活、瞬时启动、低成本、非易失性、高安全性、封装类型丰富等特点。GW1NS 系列 SoC产品实现了可编程逻辑器件和嵌入式处理器的无缝连接，兼容多种外围器件标准，可大幅降低用户成本，可广泛应用于工业控制、通信、物联网、伺服驱动、消费等多个领域。

高云半导体 GW1NZ系列产品是高云半导体小蜜蜂?(LittleBee?)家族第一代低功耗产品，具有低功耗、低成本、瞬时启动、非易失性、高安全性、封装类型丰富、使用方便灵活等特点，可广泛应用于通信、工业控制、消费类、视频监控等领域。

高云半导体GW1NSR系列产品是高云半导体小蜜蜂?(LittleBee?)家族第一代可编辑逻辑器件产品，是一款系统级封装芯片，内部集成了GW1NS系列可编辑逻辑器件产品和PSRAM存储芯片。包括GW1NSR-2C器件和GW1NSR-2器件，GW1NSR-2C器件内嵌ARMCortex-M3硬核处理器。此外，GW1NSR系列产品内嵌USB2.0PHY、用户闪存以及ADC转换器。

GW1NSE安全芯片产品提供嵌入式安全元件，支持基于PUF技术的信任根。每个设备在出厂时都配有一个永远不会暴露在设备外部的唯一密钥。高安全性特性使得GW1NSE适用于各种消费和工业物联网，边缘和服务器管理应用。

GW1NSER 系列安全芯片产品与 GW1NSR 系列产品具有相同的硬件组成单元，唯一的区别是在制造过程中，在 GW1NSER 系列安全芯片产品内部非易失性 User Flash 中提前存储了一次性编程（OTP）认证码。具有该认证码的器件可用于实现加密、解密、密钥/公钥生成、安全通信等应用。

GW1NGW1NRGW1NSGW1NZGW1NSRGW1NSE 安全芯片GW1NRF 蓝牙可编辑逻辑器件

优势

特性

用户闪存资源

（GW1N-1）

- ? 100,000次写寿命周期

- ? 超过10年的数据保存能力(+85℃)

- ? 可选的数据输入输出位宽8/16/32

- ? 页存储空间：256 Bytes

- ? 3μA旁路电流

- ? 页写入时间：8.2ms

用户闪存资源

（GW1N-2/4/6/9）

-?? 10,000次写寿命周期

-?? 超过10年的数据保存能力(+85℃)

-?? 页擦除能力：2,048字节

-?? 快速页擦除/字编程操作

-?? 时钟频率：40MHz

-?? 字编程时间：≤16μs

-?? 页擦除时间：≤120ms

-?? 电流

????△?? 读电流/持续时间：2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX)(MAX)

????△?? 编程/擦除操作：12/12mA(MAX)

支持多种I/O电平标准

- ? LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE

MLVDSE，LVPECLE，RSDSE

- ? 提供输入信号去迟滞选项

- ? 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力

- ? 提供输出信号Slew Rate选项

- ? 提供输出信号驱动电流选项

- ? 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项

- ? 支持热插拔

- ? GW1N-6和GW1N-9器件BANK0支持MIPI输入

- ? GW1N-6和GW1N-9器件BANK2支持MIPI输出

- ? GW1N-6和GW1N-9器件BANK0和BANK2支持I3C

高性能DSP模块

-?? 高性能数字信号处理能力

-?? 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器

-?? 支持多个乘法器级联

-?? 支持寄存器流水线和旁路功能

-?? 预加运算实现滤波器功能

-?? 支持桶形移位寄存器

丰富的基本逻辑单元

- ? 4输入LUT(LUT4)

- ? 双沿触发器

- ? 支持移位寄存器和分布式存储器

支持多种模式的静态随机存储器

- ? 支持双端口、单端口以及伪双端口模式

- ? 支持字节写使能

灵活的PLL资源

- ? 实现时钟的倍频、分频和相移

- ? 全局时钟网络资源

内置Flash编程

- ? 瞬时启动

- ? 支持安全位操作

- ? 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式

编程配置模式

- ? 支持JTAG配置模式

- ? 支持多达6种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
用户闪存资源	-?? 多达 608Kbits - ? 10,000 次写寿命周期
低功耗	-?? 55nm 嵌入式闪存工艺 -?? LV 版本：支持 1.2V 核电压 -?? UV 版本：内置线性稳压单元，支持 2.5V/3.3V 供电电压 -?? 支持时钟动态打开/关闭
集成 SDRAM 系统级封装芯片
支持多种 I/O 电平标准	- ? LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II， ?SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E， ?BLVDSE MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - ? 提供输入信号去迟滞选项 - ? 支持4mA、8mA、16mA、24mA等驱动能力 - ? 提供输出信号Slew Rate选项 - ? 提供输出信号驱动电流选项 - ? 对每个I/O提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及Open Drain输出选项 - ? 支持热插拔 - ? GW1NR-9 器件支持 MIPI 电平标准
高性能DSP模块	-?? 高性能数字信号处理能力 -?? 支持9 x 9，18 x 18，36 x 36bits的乘法运算和54bits累加器 -?? 支持多个乘法器级联 -?? 支持寄存器流水线和旁路功能 -?? 预加运算实现滤波器功能 -?? 支持桶形移位寄存器
丰富的基本逻辑单元	- ? 4输入LUT(LUT4) - ? 双沿触发器 - ? 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- ? 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - ? 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- ? 实现时钟的倍频、分频和相移 - ? 全局时钟网络资源
内置Flash编程	- ? 瞬时启动 - ? 支持安全位操作 - ? 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式
编程配置模式	- ? 支持JTAG配置模式 - ? 支持多达6种GowinCONFIG配置模式： ?AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
低功耗	- ? 55nm 嵌入式闪存工艺 - ? 核电压：1.2V - ? 支持 LX 和 UX 版本 - ? 支持时钟动态打开/关闭
硬核微处理器	-?? Cortex-M3 32-bit RISC 内核 -?? ARM3v7M 架构，针对小封装嵌入式应用方案进行了优化 -?? 系统定时器，提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器， ?具有灵活的控制机制 - ?Thumb 兼容，Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度? - ?最高 60MHz 的工作频率? - ?硬件除法和单周期乘法? - ?集成 NVIC，提供确定性中断处理? - ?26 个中断，具有 8 个优先级 - ?内存保护单元，提供特权模式来保护操作系统的功能? - ?非对齐数据访问，数据能够更高效的装入内存? - ?Bit-banding，精确的位操作，最大限度的利用了存储空间，改善了对外设的控制? - ?Timer0 和 Timer1? - ?UART0 和 UART1? - ?watchdog? - ?调试端口：JTAG 和TPIU
USB2.0 PHY	- ?480Mbps 数据速率，兼容 USB1.1 1.5/12Mbps 速率? - ?即插即用 - ?热插拔
ADC	- 八通道 - ?12-bit SAR 模数转换 - ?转换速率：1MHz - ?动态范围：>81dB SFDR，>62db SINAD - ?线性性能：INL<1LSB，DNL<0.5LSB，无失码
用户闪存资源	- ?1Mb 存储空间? - ?32-bit 数据位宽
支持多种 I/O 电平标准	- ?LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I， SSTL33/25/18 II，SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI， LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - ?MLVDSE，LVPECLE，RSDSE? - ?提供输入信号去迟滞选项? - ?支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力? - ?提供输出信号 Slew Rate 选项? - ?提供输出信号驱动电流选项? - ?对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 ? - 支持热插拔? - ?BANK0 支持 MIPI 输入? - ?BANK2 支持 MIPI 输出? - ?BANK0 和 BANK2 支持 I3C
丰富的基本逻辑单元	- ?4 输入 LUT(LUT4)? - ?双沿触发器 - ?支持移位寄存器
支持多种模式的静态随机存储器	- ?支持双端口、单端口以及伪双端口模式? - ?支持字节写使能
灵活的 PLL 资源	- ?实现时钟的倍频、分频和相移 - ?全局时钟网络资源?
内置 Flash 编程	- ?瞬时启动 - ?支持安全位操作 - ?支持 AUTO BOOT 和DUAL BOOT 编程模式
编程配置模式	- ?支持 JTAG 配置模式 - ?支持片内 DUAL BOOT 配置模式 - ?支持多种 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

优势	特性
零功耗	-??55nm 嵌入式闪存工艺 - ?LV 版本：支持 1.2V 核电压 - ?ZV 版本：支持 0.9V 核电压? - ?电源管理模块 - ?支持时钟动态打开/关闭
电源管理模块	- ?SPMI：系统电源管理接口 - ?器件内部 VCC 和 VCCM 各自独立
用户闪存资源	- ?64K bits - ?数据位宽：32 - ?10,000 次写寿命周期 - ?超过 10 年的数据保存能力(+85℃) - 支持页擦除：一页 2048 字节 - ?读时间：最大 25ns - ?电流 ? ? ? ? 读操作： 2.19mA/25ns (VCC) & 0.5mA/25ns (VCCX) (Max)? ? ? ? ? ?写操作/擦除操作：12/12mA (Max) - ?快速页擦除/写操作? - ?时钟频率：40MHz? - ?字写操作时间：≤16μs? - ?页擦除时间：≤120ms?
支持多种 I/O 电平标准	- ?LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33， PCI， LVDS25E，BLVDSE，MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - 提供输入信号去迟滞选项? - 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力? - 提供输出信号 Slew Rate 选项? - 提供输出信号驱动电流选项? - 对每个 I/O 提供独立的Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain 输出选项? - 支持热插拔? - I3C 硬核，支持 SDR 模式
丰富的基本逻辑单元	- ? 4输入LUT(LUT4) - ? 双沿触发器 - ? 支持移位寄存器和分布式存储器
支持多种模式的静态随机存储器	- ? 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - ? 支持字节写使能
灵活的PLL资源	- ? 实现时钟的倍频、分频和相移 - ? 全局时钟网络资源
内置Flash编程	- ? 瞬时启动 - ? 支持安全位操作 - ? 支持AUTO BOOT和DUAL BOOT编程模式
编程配置模式2	- ? 支持JTAG配置模式 - ? 支持多达6种GowinCONFIG配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL、DUAL BOOT

优势	特性
低功耗	-??55nm 嵌入式闪存工艺 - ?核电压：1.2V - ?支持 LX 和 UX 版本 - ?支持时钟动态打开/关闭
集成 PSRAM 系统级封装芯片
硬核微处理器	- ?Cortex-M3 32-bit RISC 内核 - ?ARM3v7M 架构，针对小封装嵌入式应用方案进行了优化 - ?系统定时器，提供了一个简单的 24 位写清零、递减、自装载计数器，具有灵活的控制机制 - ?Thumb 兼容，Thumb-2 指令集处理器可以获取更高的代码密度 - ?最高 60MHz 的工作频率 - ?硬件除法和单周期乘法 - ?集成 NVIC，提供确定性中断处理 - ?26 个中断，具有 8 个优先级 - ?内存保护单元，提供特权模式来保护操作系统的功能 - ?非对齐数据访问，数据能够更高效的装入内存 - ?Bit-banding，精确的位操作，最大限度的利用了存储空间，改善了对外设的控制 - ?UART0 和 UART1 - ?watchdog - ?调试端口：JTAG 和 TPIU
USB2.0 PHY	- ?480Mbps 数据速率，兼容 USB1.1 1.5/12Mbps 速率 - ?即插即用 - ?热插拔
ADC	- ? 八通道 - ? 12-bit SAR 模数转换 - ? 转换速率：1MHz - ? 动态范围：>81dB SFDR，>62db SINAD - ? 线性性能：INL<1LSB，DNL<0.5LSB，无失码
用户闪存资源	- ? 1Mb 存储空间 - ? 32-bit 数据位宽
支持多种 I/O 电平标准	- ?LVCMOS33/25/18/15/12；LVTTL33，SSTL33/25/18 I，SSTL33/25/18 II， SSTL15；HSTL18 I，HSTL18 II，HSTL15 I；PCI，LVDS25，RSDS，LVDS25E，BLVDSE - ? MLVDSE，LVPECLE，RSDSE - ? 提供输入信号去迟滞选项 - ? 支持 4mA、8mA、16mA、24mA 等驱动能力 - ? 提供输出信号 Slew Rate 选项 - ? 提供输出信号驱动电流选项 - ? 对每个 I/O 提供独立的 Bus Keeper、上拉/下拉电阻及 Open Drain输出选项 - ? 支持热插拔 - ? BANK0 支持 MIPI 输入 - ? BANK2 支持 MIPI 输出 - ? BANK0 和 BANK2 支持 I3C
丰富的基本逻辑单元	- ? 4 输入 LUT(LUT4) - ? 双沿触发器 - ? 支持移位寄存器
支持多种模式的静态随机存储器	- ? 支持双端口、单端口以及伪双端口模式 - ? 支持字节写使能
灵活的 PLL 资源	- ? 实现时钟的倍频、分频和相移 - ? 全局时钟网络资源
内置 Flash 编程	- ? 瞬时启动 - ? 支持安全位操作 - ? 支持 AUTO BOOT 和 DUAL BOOT 编程模式
编程配置模式	- ? 支持 JTAG 配置模式 - ? 支持片内 DUAL BOOT 配置模式 - ? 支持多种 GowinCONFIG 配置模式：AUTOBOOT、SSPI、MSPI、CPU、SERIAL

高云安全芯片产品提供了一个基于物理不可克隆功能（PUF）技术的硬件安全根。SRAM Based PUF使用RAM设备的上电行为来区分芯片。它们几乎不可能被复制、克隆或预测，适用于安全密钥的生成和存储、设备身份验证、安全启动、数据加密和芯片资产管理等应用。SRAM PUF技术已被用于安全保护超过1亿台设备。

●SRAM Based PUF

△无需私钥存储

△上电时设备密钥恢复

●芯片出厂时即可提供

△Activation, UUID, 证书

●低成本，小封装

△2.5 x 2.5 mm?

小蜜蜂家族

内置ID Broadkey Pro安全库配有Gowin 安全芯片设备，可以轻松地将常见的安全功能集成到用户应用程序中。这些功能允许用户创建唯一的设备标识符，为安全引导生成/验证签名，并加密/解密数据。

● 器件唯一的密钥

● 随机数生成

● 椭圆曲线私钥生成和存储

● 导入导出公钥

● 签名生成和验证

● 密钥协议功能

● 公钥加密和解密

GW1NRF系列蓝牙可编辑逻辑器件产品高性能、低功耗，集成32bits低功耗 MCU，功耗低至5nA的电源管理单元，及低功耗蓝牙5.0技术。通过集成具有灵活I/O和异构计算能力的可编辑逻辑器件，进一步拓展了蓝牙设备的灵活性。

● 集成低功耗蓝牙5.0技术

● 内嵌32bits低功耗ARC处理器

△ 136kB ROM

△ 128kB OTP for power efficiency ：128KB OTP

△ 48kB IRAM and 28kB DRAM

● 电源管理单元

△ 芯片不使能时电流5nA¹

△ 休眠模式时电流1.0uA¹

△ 处理器和可编辑逻辑器件同时工作时电流<5mA

● 安全特性

△ TRNG

△ AES-128硬核加密

△ ECC-P256密钥生成器

注1：不包括外部调节器在待机状态下的漏电流

? 器件	GW1N-1	GW1N-4	GW1N-9	GW1N-1S
? 逻辑单元(LUT)	1,152	4,608	8,640	1,152
? 寄存器(FF)	864	3,456	6,480	864
? 分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	0	0	17,280	0
? 块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	72K	180K	468K	72K
? 块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	4	10	26	4
? 用户闪存-bits	96K	256K	608K	96K
? 乘法器(18x18 Multiplier)	0	16	20	0
? 锁相环(PLLs)	1	2	2	1
? I/O Bank?总数	4	4	4	3
? 最多用户 I/O	120	218	276	44
? 核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V
? 核电压（UV 版本）	1.8V/2.5V/3.3V ^注1	2.5V/3.3V	2.5V/3.3V	-

? 封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1N-1	GW1N-4	GW1N-9	GW1N-1S
? CS30:WLCSP	0.4	2.3x2.4	24	-	-	23
? QN32:QFN	0.5	5x5	26	24(3)	-	-
? FN32:QFN	0.4	4x4	-	-	-	25
? QN48:QFN	0.4	6x6	41	40(9)	40(12)	-
? QN48f:QFN	0.4	6x6	-	-	-	-
? CM64:WLCSP	0.5	4.1x4.1	-	-	55(16)	-
? CS72:WLCSP	0.4	3.6x3.3	-	57(19)	-	-
? CS81M:WLCSP	0.4	4.1x4.1	-	-	-	-
? QN88:QFN	0.4	10x10	-	70(11)	70(19)	-
? LQ100:LQFP	0.5	14x14	79	79(13)	79(20)	-
? LQ100X:LQFP	0.5	14x14	79	-	-	-
? MG100:MBGA	0.5	5x5	-	-	-	-
? LQ144:LQFP	0.5	20x20	116	119(22)	120(28)	-
? EQ144:LQFP	0.5	20x20	-	-	120(28)	-
? MG132X:MBGA	0.5	8x8	-	105(23)	-	-
? MG160:MBGA	0.5	8x8	-	131(38)	131(38)	-
? UG169:UBGA	0.8	11x11	-	-	129(38)	-
? LQ176:LQFP	0.4	20x20	-	-	147(37)	-
? EQ176:EQFP	0.4	20x20	-	-	147(37)	-
? MG196:MBGA	0.5	8x8	-	-	113(35)	-
? PG256:PBGA	1.0	17x17	-	207(32)	207(36)	-
? PG256M:PBGA	1.0	17x17	-	207(32)	-	-
? UG256:UBGA	0.8	14x14	-	-	207(36)	-
? UG332:UBGA	0.8	17x17	-	-	273(43)	-

? 器件	?GW1NZ-1
? 逻辑单元(LUT4)	1,152
? 寄存器(FF)	864
? 分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	4K
? 块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	72K
? 锁相环(PLLs)	1
? 用户闪存-bits	64K
? 最大I/O数	48
? Vcc	1.2V(LV版本);0.9V(ZV版本)

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NZ-1
FN32:QFN	0.4	4X4	25
FN32F:QFN	0.4	4X4	25
CS16:WLCSP	0.4	1.8x1.8	11
QN48:QFN	0.4	6x6	40

器件	GW1NR-1	GW1NR-4	GW1NR-9
逻辑单元(LUT)	1,152	4,608	8,640
寄存器(FF)	864	3,456	6,480
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	0	0	17,280
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	72K	180K	468K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	4	10	26
用户闪存-bits	96K	256K	608K
SDR SDRAM(bits)	-	64M	64M
PSRAM(bits)	-	32M(QN88P) 64M(MG81P)	64M(QN88P/LQ144P/MG100PT/MG100PS) 128M(MG100P/MG100PF/mg100pa)
NOR FLASH(bits)	4M	-	-
乘法器(18x18 Multiplier)	0	16	20
锁相环(PLLs)	1	2	2
I/O Bank 总数	4	4	4
最多用户 I/O	120	218	276
核电压（LV 版本）	1.2V	1.2V	1.2V
核电压（UV 版本）	-	2.5/3.3V	2.5/3.3V

封装	器件	Memory类型	容量	位宽
QN88	GW1NR-4	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88	GW1NR-9	SDR SDRAM	64M	16 bits
QN88P	GW1NR-4	PSRAM	32M	8 bits
QN88P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG81P	GW1NR-4	PSRAM	64M	16 bits
MG100P	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PF	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PA	GW1NR-9	PSRAM	128M	32 bits
MG100PT	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
MG100PS	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
LQ144P	GW1NR-9	PSRAM	64M	16 bits
FN32G	GW1NR-1	NOR FLASH	4M	1 bits

器件	GW1NS-2	GW1NS-2C	GW1NS-4	GW1NS-4C
逻辑单元(LUT4)	1,728	1,728	4,608	4,608
寄存器(FF)	1,296	1,296	3,456	3,456
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	180K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	4	4	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	-	-	16	16
用户闪存-bits	1M	1M	256K	256K
锁相环(PLLs)	1	1	2	2
OSC	1，精度±5%	1，精度±5%	1，精度±5%	1，精度±5%
硬核处理器	-	Cortex-M3	-	Cortex-M3
USB PHY	USB 2.0 PHY	USB 2.0 PHY	-	-
ADC	1	1	-	-
I/O Bank 总数	4	4	4	4
最多用户 I/O	102	102	106	106
核电压	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V

器件	GW1NSR-2	GW1NSR-2C	GW1NSR-4	GW1NSR-4C
逻辑单元(LUT4)	1,728	1,728	4,608	4,608
寄存器(FF)	1,296	1,296	3,456	3,456
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	72K	72K	180K	180K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	4	4	10	10
乘法器(18 x 18 Multiplier)	-	-	16	16
用户闪存-bits	1M	1M	256K	256K
PSRAM(bits)	32M	32M	64M	64M
HyperRAM(bits)	-	-	-	64M
NOR FLASH(bits)	-	-	-	32M
锁相环(PLLs)	1	1	2	2
OSC	1，精度±5%	1，精度±5%	1，精度±5%	1，精度±5%
硬核处理器	-	Cortex-M3	-	Cortex-M3
USB PHY	USB 2.0 PHY	USB 2.0 PHY	-	-
ADC	1	1	-	-
I/O Bank 总数	4	4	4	4
最多用户 I/O	102	102	106	106
核电压	1.2V	1.2V	1.2V	1.2V

器件	封装	Memory 类型	容量	位宽
GW1NSR-2	QN48P	PSRAM	32Mb	8 bits
GW1NSR-2C	QN48P	PSRAM	32MB	8 bits
GW1NSR-4	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
GW1NSR-4C	MG64P	PSRAM	64Mb	16 bits
	QN48P	HyperRAM	64MB	8 bits
	QN48G	NOR FLASH	32Mb	1 bit

器件	GW1NSE-2C	GW1NSE-4C
逻辑单元(LUT4)	1,728	4,608
寄存器(FF)	1,296	3,456
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	72K	180K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	4	10
分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	4608	0
用户闪存(bits)	1024	256
18X18乘法器	-	16
锁相环(PLLs)	1	2
OSC	1,+/-5% accuracy	1,+/-5% accuracy
硬核处理器	Cortex-M3	Cortex-M3
USB 2.0 PHY	1	0
ADC Channels	8	0
I/O Banks	4	3
核电压	1.2V	1.2V
最多用户 I/O	102	106

器件	GW1NSER-4C
逻辑单元(LUT)	4,608
寄存器(FF)	3,456
块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	180K
块状静态随机存储器数目B-SRAM(个)	10
用户闪存-bits	256K
HyperRAM(bits)	64M
NOR FLASH(bits)	32M
乘法器(18x18 Multiplier)	16
锁相环(PLLs)	2
I/O Bank 总数	4
最多用户 I/O	106
OSC	1，精度±5%
硬核处理器	Cortex-M3
核电压	1.2V

? 器件	?GW1NRF-4B
? 逻辑单元(LUT4)	4,606
? 寄存器(FF)	3,456
? 分布式静态随机存储器S-SRAM(bits)	0
? 块状静态随机存储器B-SRAM(bits)	180K
? 块状静态随机存储器B-SRAM（块）	10
? 用户闪存-bits	256K
? 18X18乘法器	16
? PLLs	2
? I/O Bank总数	4
? 最大I/O数	25
? 核电压（LV）	1.2V
? 核电压（UV）	1.8V/2.5V/3.3V
? Bluetooth 5.0 LE RF	YES
? 32-bit ARC Processor	YES
? Processor ROM -bytes	136K
? Processor OTP -bytes	128K
? Processor IRAM/DRAM -bits	48K/28K
? Security Core安全核	YES
? 电源管理单元	YES
? DC升压/降压调节器	YES

封装	间距(mm)	尺寸(mm)	GW1NS-2	GW1NS-2C	GW1NS-4	GW1NS-4C
QN32:QFN	0.5	5x5	25(4)	25(4)	-	-
QN32U:QFN	0.5	5x5	16(2)	16(2)	-	-
CS36:WLCSP	0.4	2.5x2.5	30(6)	30(6)	-	-
CS36U:WLCSP	0.4	2.5x2.5	22(5)	-	-	-
CS49:WLCSP	0.4	2.9x2.9	-	-	42(8)	42(8)
QN48:QFN	0.4	6x6	38(7)	38(7)	38(4)	38(4)
MG64:MBGA	0.5	4.2x4.2	-	-	-	57(8)
LQ144:LQFP	0.5	20x20	95(12)	95(12)	-	-